透明電極應用於砷化鎵製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097118495

專利證號

I 425563

專利獲證名稱

透明電極應用於砷化鎵製程

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/02/01

技術說明

一種透明電極應用於砷化鎵製程，係包括：一MHEMT晶圓磊晶結構、一透明閘極、一源極與一汲極。該MHEMT晶圓磊晶結構係利用分子束磊晶方式成長在一砷化鎵基板上，該砷化鎵基板上成長包括有一肖特基層與一覆蓋層，該覆蓋層係成長於該肖特基層上；該透明閘極係設於該肖特基層上，該透明閘極係為銦錫氧化物；該源極與該汲極係分別設於該透明閘極兩側的該覆蓋層上，藉此，可有效增加受光範圍，使該MHEMT晶圓磊晶結構對於光波更為敏感。 A multi-layer structure with a transparent gate includes a MHEMT device structure comprising a GaAs substrate, a Schottky layer and a cap layer formed on the Schottky layer; a transparent gate formed on the Schottky layer being an indium tin oxide, ITO; and a drain and a source formed on the cap layer. Moreover, the MHEMT device structure includes a graded buffer, a buffer layer, a first spacer layer, a channel layer, and a second spacer layer formed between the GaAs substrate and the Schottky layer in a stacked fashion. The multi-layer structure is a transparent gate HEMT employing indium tin oxide which can make HEMT more sensitive to the light wave.

備註

本部(收文號1080026798)同意該校108年4月29日長庚大字第1080040320號函申請終止維護專利

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