薄膜電晶體與其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098137513

專利證號

I 426566

專利獲證名稱

薄膜電晶體與其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/02/11

技術說明

本發明以溶液製程技術包含旋轉塗佈(spin coating)與水熱法(hydrothermal method)，將透明無機氧化鋅奈米薄膜成長於有機材料polymethylmethacrylate (PMMA)之上，製作氧化鋅奈米薄膜/有機PMMA複合薄膜電晶體，這是低成本製作薄膜電晶體的方法。 我們提出利用水熱法在有機薄膜上成長無機氧化鋅奈米薄膜，成功將有機絕緣薄膜與無機氧化鋅奈米薄膜結合，以旋轉塗佈製作有機絕緣層，能夠低溫且迅速，接著我們必須將氧化鋅種子層成長在有機絕緣薄膜上作為氧化鋅奈米薄膜的長晶中心，但由於一般的水溶液法成長氧化鋅種子層會與有機薄膜產生排斥，這是由於大多數的有機層為斥水性，而氧化鋅種子層為親水性的材料，並且電晶體元件對於絕緣層與載子通道層之平整度要求甚高(減少介面不平整所引起的載子捕捉中心) ，因此在氧化鋅的種子層製作上，我們利用低溫濺鍍法在有機絕緣層上鍍上一層非常平坦的氧化鋅種子層，使其氧化鋅奈米薄膜能夠成功地成膜在大部分的有機薄膜上，如此才能在有機薄膜上製作出平坦高品質的氧化鋅奈米薄膜，此作法可適用於任意基板，大幅提升元件應用性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址