光檢測器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094111075

專利證號

I 281267

專利獲證名稱

光檢測器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2007/05/11

技術說明

短波段之藍光與紫外光檢測器是很重要的元件，由於他們可以使用在各式各樣商業上與 軍事上的應用，例如，這些藍光至紫外光檢測器可以使用在太空通訊、臭氧層監控與火 光偵測，現在，光偵測在藍光至紫外光區域仍然使用矽材料光二極體，然而， 矽光二 極體之最靈敏波長並不是落在藍光至紫外光區域，主要是由於矽之能隙在室溫下僅僅只 有1.2eV，因此，矽光二極體之響應在藍光至紫外光區域是低的，隨著光電元件以寬直 接能隙材料來製作的出現，產生高效能固態光檢測器陣列感測在藍光至紫外光區域將變 成一件可能的事，例如，GaN系列光檢測器在商業上已經是可以應用的，ZnSe則是另外 一種寬直接能隙材料感測在藍光至紫外光區域。

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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