場效二極體光感測半導體元件Field-effect-diode photo detector

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110109821

專利證號

I 757122

專利獲證名稱

場效二極體光感測半導體元件Field-effect-diode photo detector

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2022/03/01

技術說明

一種利用場效二極體(field effect diode, FED)的高性能紫外光感測器，於將全空乏型通道薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)之閘極與源極或汲極連接所得的FED，進行紫外光感測，其特徵在於僅需使用單一偏壓進行光電流偵測，除可避免傳統採用TFT紫外光感測器須採用雙電源以及TFT起始電壓(V_on)之偵測外，亦可避免習知TFT紫外光感測器暗電流(I_Dark)隨V_on漂移而造成響應度或靈敏度之大幅度波動，有效簡化偵測電路設計與提升光響應與可靠度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址