應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092104868

專利證號

I 203460

專利獲證名稱

應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/06/11

技術說明

本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長的方法與其產生之結構，其中擇區生 長之步驟包含：提供一第一基板，並於該第一基板上形成一第一遮蔽層；以一黃光微影技術 處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該第一基板。按著以一緩衝溶液對該複數個特定區域 進行一第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板，再以一化學蝕刻液對該第一基板與該第 二遮蔽層進行一第二蝕刻以形成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進行，方 式一為：先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構，按著以該複數個尖型結構壓印於一第二基 板，最後再將被壓印之該第二基板進行奈米碳管生長；方式二則為：先塗附一金屬觸媒於一 第三基板，再以該複數個尖型結構壓印該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸 媒球；最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

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