提升以(脈衝)雷射蒸鍍法製備P型氧化鋅薄膜之電洞濃度的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101123956

專利證號

I 524386

專利獲證名稱

提升以(脈衝)雷射蒸鍍法製備P型氧化鋅薄膜之電洞濃度的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2016/03/01

技術說明

一般來說想要提升P型氧化鋅薄膜的電洞濃度，若非配合特定的製程手法就是必須從退火著手來達到想要的P型氧化鋅薄膜電洞濃度。然而上述提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方法對原有的製程來說往往是一個挑戰。因此如果能在製程中以簡單的製程步驟提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方式將可提供製程上很大的便利，此為本發明所欲解決之問題。 本發明所解決問題之技術手段為對於使用(脈衝)雷射蒸鍍法所製備之P型氧化鋅薄膜，通常先將基板加熱使其處於介於300℃~900℃之特定溫度狀態，並且製備P型氧化鋅薄膜，接著停止升溫，在一不高於前述之製備P型氧化鋅薄膜之特定溫度下，通入氮氣或是含氮的氣體或是其他可提供P型雜質之氣體，以提高P型電洞濃度。 在通入氣體以提高P型電洞濃度時，基板的溫度除了一不高於前述之製備P型氧化鋅薄膜之特定溫度外，還同時維持在該特定溫度或另一特定溫度或是逐漸降溫至又一特定溫度。透過本發明的方法，可以簡單的將製備之氧化鋅薄膜提高電洞摻雜濃度。 A new strategy is proposed to enhance the hole concentration in the p-type zince oxide (ZnO) thin film synthesized by pulsed laser deposition (PLD). By introducing the active gas into the growth chamber just after the PLD of p-ZnO thin film, without raising the temperature, can effectively enhance the hole concentration. Such a method is quite compatible with the nowadays existing processes.

備註

本部(收文號1080026226)同意該校108年4月26日北科大產學字第1087900115號函申請終止維護專利

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