氣體感測元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104138439

專利證號

I 601956

專利獲證名稱

氣體感測元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2017/10/11

技術說明

本發明係透過在預備蝕刻的基板上鋪設單層奈米球陣列（材質可為Polystyrene, PS）後，再對基板進行非等向性蝕刻，透過蝕刻之各種條件決定微支柱結構的間距與高度參數，再利用有機溶液去除殘留的奈米球部分，以形成微支柱層；其後轉印石墨烯薄膜於微支柱層上完成氣體感測元件。而電極的部分為兩端式，以黃光與蒸鍍金屬完成於基板上。 　　此外，石墨烯薄膜的部分亦可利用氬電漿處理非直接，對其進行改質修飾，使其上肢碳原子產生單原子之缺陷（defect），經產生缺陷後的石墨烯薄膜能進一步提升其對於氣體分子之感測能力。 　　透過本發明之結構，可感測到相當微量之氣體；除此之外，感測元件在感測完氣體之後的復原能力亦十分優秀。 This invention provides a gas sensing unit and the producing method thereof. The gas sensing unit comprises a substrate, and a nano-pillar layer is formed on the substrate. Furthermore, a detective layer is formed on the nano-pillar layer that caused a significant increase of the sensitivity and the recovery ability of the gas sensor, especially for sensing low concentration gas.

備註

本會(收文號1110058097)同意該校111年9月12日長庚大字第1110090101號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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