氮化物半導體材料之成長方法Method of growing nitride semiconductor material

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/014,200

專利證號

US7,608,532B2

專利獲證名稱

氮化物半導體材料之成長方法Method of growing nitride semiconductor material

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2009/10/27

技術說明

待補

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址