單晶三族氮化物的形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108102615

專利證號

I 703243

專利獲證名稱

單晶三族氮化物的形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2020/09/01

技術說明

本發明提供一種單晶三族氮化物的形成方法。在一些實施例中，此方法包含下述步驟。首先，於遠端基材上，形成二硫化鉬。接下來，將二硫化鉬轉移至基材上。然後，進行濺鍍步驟，以磊晶方式沉積單晶三族氮化物層於二硫化鉬上，以於矽基材或軟性基材等基材上形成單晶三族氮化物層。 A method of forming a single-crystal group-III nitride is provided in the present invention. In some embodiments, the method includes the following steps. First, a molybdenum disulfide (MoS2) monolayer is formed on a remote substrate. Then, the MoS2 monolayer is transferred onto a substrate. Next, a sputtering step is performed to epitaxially grow a single-crystal group-III nitride layer on the MoS2 monolayer, so as to form the single-crystal group-III nitride layer on the substrate such as a Si substrate or a flexible substrate.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

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