記憶體之結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104137954

專利證號

I 597834

專利獲證名稱

記憶體之結構

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2017/09/01

技術說明

本發明係關於一種現今非常流行之新式記憶體之結構，我們稱之為電阻式記憶體，其係於上電極與下電極之間包含介電質層，藉由提供電壓改變此介電層的阻值(高阻態與低阻態)，並於上電極與介電質層之間，進一步製作一氧化銥膜；其在氧化銥膜的存在下，可控制上電極之金屬粒子以離子形式擴散至介電質層的數量，或者是記憶體內之氧空缺之數量，藉此使記憶體之工作電壓與工作電流降低，也可增進電阻式記憶體之電阻轉換的一致性和可靠性。 The present invention relates to a memory structure, which includes a dielectric layer between the top and bottom electrodes and further includes an iridium oxide film between the top electrode and the dielectric layer. With the iridium oxide film, the number of the metal particles in the electrodes diffusing to the dielectric layer in ion form or the number of oxygen vacancies in the memory can be controlled. Thereby, the operating voltage/current of the memory can be lowered and switching uniformity/reliability will be improved.

備註

本會(收文號1110050358)同意該校111年8月1日長庚大字第1110080006號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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