同步形成銀內連線之擴散阻障層與電鍍晶種層的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100101422

專利證號

I 425595

專利獲證名稱

同步形成銀內連線之擴散阻障層與電鍍晶種層的方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/02/01

技術說明

本發明提供一種同步形成銀內連線之擴散阻障層與電鍍晶種層的方法，首先提供一基底，並於基底上形成一介電層；於介電層中形成一開口，並於開口內依序形成一富矽層或一富鍺層，以及一銀合金晶種層；進行一熱處理步驟，以將銀合金晶種層中的合金材料由銀中分離，並且合金材料擴散至銀合金晶種層之底表面，並與富矽層或者富鍺層反應形成矽化物層或者鍺化物，以作為一擴散阻障層，銀合金晶種層中的銀作為電鍍晶種層，達到同步形成銀內連線之擴散阻障層與電鍍晶種層。 The mothod provides a method to form a seed and barrier layer simultaneously. Firstly, a substrate with a dielectric layer deposited on top. A open was form in the dielectric layer and a Si-rich or a ge-rich layer followed by a Ag alloy seed layer were prepared sequently. By thermal treatment, the alloy element will out-diffuse and react with the si-rich or Ge-rich layer to form a silicide or germanide. The silicide or germanide could be used as a diffusion layer of silver and the remaining Ag film could be used as a seed layer for following large amount silver electroplating.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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連絡電話

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