製作氮化物半導體元件中劈裂鏡面之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096102229

專利證號

I 328907

專利獲證名稱

製作氮化物半導體元件中劈裂鏡面之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2010/08/11

技術說明

一種製作氮化鎵半導體元件中劈裂鏡面之方法，至少包含在透明基材形成一層以上之氮化物半 導體薄膜，並以微影術在氮化物半導體薄膜上定義保留區與犧牲區之圖案，再以異向性蝕刻將 氮化物半導體薄膜除了圖案以外的區域蝕刻至露出透明基材為止。以高功率雷射脈衝由透明基 材之底面往頂面照射，熱分解犧牲區底部之部分厚度，再劈裂與透明基材分離之懸浮部分，即 形成平滑之劈裂鏡面。 A method for manufacturing cleaved facets of GaN semiconductor device is disclosed. At least one nitride semiconductor film is deposited on a transparent substrate. Reserved and sacrificial regions are defined on top of nitride films by lithography. Anisotropic etch is employed to vertically etch exposed nitride semiconductor films in order to expose the transparent substrate. A high power laser pulse shining on the bottom side of the sacrificial region of the substrate is absorbed by the nitride film near the film/substrate interface. A small portion of the nitride film near the interface is decomposed by heat. Nitrogen escapes and the metal specie is left over. The metal is removed by an acid dip. The suspended sacrificial region film can be cleaved mechanically or ultrasonically.

備註

本部(收文號1090032992)同意該校109年6月4日研發字第1090400154號函申請終止維護專利(彰師大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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