電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列及電磁波透射偏移方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110103068

專利證號

I 744180

專利獲證名稱

電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列及電磁波透射偏移方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2021/10/21

技術說明

在5G的應用中，電波的頻譜和空間的使用效率將成為兩個重要的議題之一，尤其是現行通訊頻譜競爭激烈，通訊頻段遷移至毫米波將成為必要的發展方向。現有的技術中，針對電波死角、暗區，或者訊號微弱的區域，大多是採用加強佈建基站或強波器數量的方式。相較於現在無線通訊所使用的頻段，電磁波可傳播的距離和影響範圍將大幅縮小。若以28 GHz和2.4 GHz相比，相同的訊號強度下，其傳輸距離將縮小10倍以上，其空間損耗更高達100倍。要達到大面積部屬5G服務區，若完全依賴小型基站的佈建，將面臨高密度基站所帶來的龐大設備成本、大量人力的大工程，更遑論後續的維護工程。而室內的5G中繼站目前呼聲最高的無非是室內CPE，但是若透過本案的電磁透鏡(TMLS)不只可以大幅減少硬體成本，亦可去除後續的電力成本，而佈建也只需要張貼上薄膜即可，是一簡易卻強力的解決方案。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉授權中心

連絡電話

05-2720411轉16001

網址