以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095100137

專利證號

I 265192

專利獲證名稱

以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/11/01

技術說明

本案成功的導入經表面改質的量子點(S-CdS)形成一系列S-CdS/PF-GX (X=1,2)之奈米複合發光材料，並經由實驗證實， 導入少量的改質的量子點(CdS)，不但可有效地提昇螢光及電激發光效率至原來之兩倍至三倍，同時也增強原本材料在 製程元件後的穩定度及電性。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利(交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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