半導體儲存記憶體陣列元件與其製程方法Semiconductor Memory Storage Array Device and Method for Fabricating the Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/087,355

專利證號

US 9,041,129 B2

專利獲證名稱

半導體儲存記憶體陣列元件與其製程方法Semiconductor Memory Storage Array Device and Method for Fabricating the Same

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/05/26

技術說明

一種半導體儲存記憶體陣列元件與其製程方法。結合選擇器(Selector)及記憶體元件可以達到高記憶體密度之目的，選擇器利用一層犧牲層來製備，然後利用蝕刻方式將犧牲層掏空，如此形成一懸空結構，利用此結構提供選擇器所需之電子特性，由於所使用之材料並非特殊材料，所以在製程方面完全相容於現行半導體製程，選擇器可提供高於10^8A/cm^2之高電流密度，可解決交錯式(cross-bar)電阻式記憶體(RRAM)陣列潛行電流之問題，其1S1R結構可大幅提高記憶體密度，選擇器亦可整合於其他新式非揮發性記憶體元件如MRAM與PCRAM等。 A semiconductor memory array storage element and its process method. Combined selector and the memory element can achieve the purpose of high-density memory device. Moreover, the selector may be provided above the 10 ^ 8A / cm ^ 2 high current density and it can resolve the sneak current problem of cross-bar structure RRAM array. This 1S1R structure can significantly improve memory density. And this selector also can be used to integrated with other new non-volatile memory devices such as MRAM and PCRAM.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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