半導體裝置之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095118017

專利證號

I 299881

專利獲證名稱

半導體裝置之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2008/08/11

技術說明

本案之技術特點是利用ㄧ已沉積gettering material(如非晶矽(amorphous Si), 鎝 (Ta), 銅(Cu)等薄膜)之晶圓與金屬誘發結晶之主動層來進行晶圓接合。首先,利用沉積 (deposition)技術,在一基板上,沉積一層gettering material(如非晶矽(amorphous Si), 鎝(Ta), 銅(Cu)等薄膜)。之後,再與一經金屬誘發結晶之複晶矽接觸(contact)。 再進行退火,降低複晶矽薄膜中之殘餘金屬。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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