具類似六角星形之三族-氮半導體奈米柱構造

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097151316

專利證號

I 415787

專利獲證名稱

具類似六角星形之三族-氮半導體奈米柱構造

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/11/21

技術說明

本發明之主要目的係提供具六角星形構造的奈米柱。本發明之主要優點係可提供全新奈米柱結構。 本發明之奈米柱構造特徵： 高度介於200奈米至2微米之間； 斷面具有六角星形； 奈米柱直徑係小於約1μm； 三族-氮係選自氮化鎵、氮化銦、氮化鋁、氮化鎵銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、及氮化鋁鎵銦所組成之群組。 本發明可廣泛應用於半導體奈米技術相關領域。在產業上，本發明奈米柱舉例應用於製造發光二極體﹝LED﹞或分佈布拉格反射鏡﹝DBR﹞。而本發明奈米柱具有六角星形﹝hexagram或six-pointed star﹞之主要技術特徵。此發明之奈米柱之六角星形特徵可提供全新奈米柱結構。在市場性上，本發明可提供全新奈米柱結構，以便可應用於各種奈米元件，例如：發光二極體或分佈布拉格反射鏡。

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

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