於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法Method for forming Group-III Nitride Semiconductor on the Semiconductor Substrate

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

南韓

專利申請案號

10-2008-0037041

專利證號

10-0981008

專利獲證名稱

於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法Method for forming Group-III Nitride Semiconductor on the Semiconductor Substrate

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2010/09/01

技術說明

1. 以10%氫氟酸溶液去除矽基板氧化物，以超高真空熱處理近一步去除氟離子、氧化物及污染物， 產生平坦及重構之矽表面。 2. 成長下窄上寬類喇叭形狀的奈米柱於矽基板上。 3. 在鎵富含的條件下進行氮化鎵覆蓋成長。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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