全空乏型絕緣層上矽晶金氧半場效電晶體裝置及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094115388

專利證號

I 248211

專利獲證名稱

全空乏型絕緣層上矽晶金氧半場效電晶體裝置及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/01/21

技術說明

本發明的主要目的是提供一種具有解決多晶矽閘極空乏現象、高驅動電流、彽 閘極/源極/汲極片電阻、彽閘極/汲極漏電流、低源極/汲極邊緣電場等特性 ，以符合元件微縮至奈米尺寸需求之高性能絕緣層上覆晶金氧半場效電晶體。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址