單電子電晶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091016

專利證號

191166

專利獲證名稱

單電子電晶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/12/01

技術說明

本發明之單電子電晶體係利用電子束微影的方式，經過多次微影、蝕刻及氧化製程後，形成 尺寸極小的矽島以作為一量子井，並利用該矽島兩旁相互隔絕的兩金屬矽化物或摻雜多晶矽 間隙壁分別做為該電子電晶體之汲極和源極，且利用其矽底材作為底部閘極，而形成一包含 一矽基板、一量子井、一第一介電層、一氮化矽層及兩間隙壁之單電子電晶體。其中該矽基 板之表面為一氧化層，該量子井係位於該氧化層上，該第一介電層係覆蓋於該量子井上，該 氮化矽層係覆蓋於該第一介電層上，該兩間隙壁係位於該量子井兩側，該兩第二介電層係位 於該量子井及該間隙壁之間，分別作為該單電子電晶體之源極和汲極與量子井間的能量阻障 層。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址