用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101110039

專利證號

I 456668

專利獲證名稱

用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/10/11

技術說明

本技術係揭露一種用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法，其中半導體電極包含一導電性基材以及一半導體層。半導體層係形成於該導電性基材的表面上。其中該半導體層係經改質而含有分佈於其中之複數個金屬奈米粒子。如此，本技提供簡易之方法製備半導體電極，其製備之電極不僅能取代傳統貴金屬鉑電極之使用，此電極亦可對光電子之反應速率能顯著提升，得以有效提升其光生電流響應，且以該電極組成之光電化學電池之光電轉換效率因而得以增加。此一技術之發展對未來以氫氣為能源之發展提供一重要之平台。 The present invention discloses a semiconductor electrode for photoelectrochemical cell and the method for forming the same. The semiconductor electrode comprises a conductive substrate and a semiconductor layer. The semiconductor layer is formed on the surface of the conductive substrate. Through the modification, the semiconductor layer contains a plurality of metal nanoparticles distributed therein. Thus, the response rate of the electrode of the present invention to photoelectron is improved, and the photoelectric conversion efficiency of the photoelectrochemical cell composed of such electrode also increases.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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