一維微奈米結構的移植方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097119718

專利證號

I 403457

專利獲證名稱

一維微奈米結構的移植方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

當我們應用目前已知的技術來成長奈米線時，奈米線必需配合特定的基板才能成長。也就是說，不能在任意的基板上成長任意的奈米線，例如在矽基板上難以長出高品質的III-V族材料奈米線(如GaAs、GaAlAs、InP、InGaAsP等)，或是將某一特定奈米線長於任意的基板上，如GaAs奈米線置放於矽基板、玻璃基板等。鑑於習知特定材料的奈米線在使用方面受到很大的限制，我們提出一種利用轉移的移植技術，係先將已經做好的一維微奈米結構移植到另一個任意的基板上，而可使一維微奈米結構整合到不同的基板上，提供了多樣化的奈米線元件的製作以及開發。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址