發明
中華民國
107126432
I 685518
電路板及其製備方法
國立中興大學
2020/02/21
本技術提出一種複合式矽烷分子層的概念,引入兩種不同結構的矽烷化合物,透過階段式浸泡,降低矽烷化合物在聚醯亞胺表面的團聚,提升其分散性,以改善銅箔鍍層的附著力與均勻性。其中一種具有胺基(-NH2)或巰基(-SH)的結構,可強化與鈀催化劑及銅箔鍍層之間的接合力,另一種具有吡啶的結構,可作為立體屏障,有效阻隔胺基(或巰基)類矽烷化合物之間的團聚,經矽烷化反應後能均勻分布在聚醯亞胺基板上。透過上述步驟,銅箔鍍層的抗撕強度顯著提升,平均值可達0.9 kgf/cm,最大值可達1.2 kgf/cm,皆比使用單一的矽烷化合物的抗撕強度優異(平均值= 0.5 kgf/cm,最大值= 0.8 kgf/cm)。
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