長晶設備及方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099123582

專利證號

I 405878

專利獲證名稱

長晶設備及方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/08/21

技術說明

太陽能光電基板(Solar PV Cell)的晶片材質有很多種，大致上可分為單晶矽(Monocrystalline Silicon)、多晶矽(Polycrystalline/Multicrystalline Silicon)、非晶矽(Amorphous Silicon)，以及其它非矽材料，其中以單晶矽及多晶矽兩類最為常見；而單晶矽的組成原子均按照一定的規則，產品轉換效率較高，但相對的製造成本也較為昂貴，雖然早期市場的產品仍以單晶矽為主，但由於單晶矽的生產成本較高，多晶矽因有不同排列方式的晶粒存在，其晶粒間所謂的晶界會有雜質的累積與結構錯排等造成的缺陷，使得光電轉換效率較低。近年來多晶矽的技術進展很快，使得多晶矽的轉換效率大幅的提高，在低成本與高產出的優勢下，多晶矽已有取代單晶矽產品的趨勢。本案提供一種長晶設備及一種長晶的方法。該長晶設備係用以使一原料長晶，且使垂直於該原料生長方向之平面的外部溫度高於內部溫度。該長晶的方法，包括：在一原料長晶的過程中，使垂直於該原料生長方向之平面的外部溫度高於內部溫度。 A device for crystal growth and a method for the same are provided. The device for crystal growth makes a material grow a crystal and makes the temperature at the inner area of the plane lower than that at outer area of the plane, wherein the plane is perpendicular to the growth direction of the material. The method for crystal growth includes the step of making the temperature at the inner area of the plane lower than that at outer area of the plane during the crystal growth process, wherein the plane is perpendicular to the growth direction of the material.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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