電晶體及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103101748

專利證號

I 531069

專利獲證名稱

電晶體及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/04/21

技術說明

本技術主要應用在本實驗室開發之垂直式通道空間電荷限制電晶體(Space-Charge-Limited Transistor, SCLT)，SCLT的結構概念與操作原理類似於真空三極管。其射極(Emitter)對應到真空管中的加熱陰極，作為載子注入端；集極(Collector)對應到陽極金屬板，負責收集從通道通過之載子；基極(Base)對應到網柵(grid)，作用為控制通道中電流的開關；真空層則對應到載子的有機傳輸層。而SCLT的操作原理：藉由基極的偏壓變化控制射極至集極間通道的位能，使載子能否順利流通通道。當基極施加的偏壓(VBE)為正偏壓時，載子傳輸通道內會形成一高位能障，使射極端注入的載子不易跨越，通道為關(off)的狀態；相反的，當基極施加的偏壓(VBE)為負偏壓時，載子傳輸通道內不會存在位能障，通道即為開(on)的狀態。 We named our solid-state version of the vacuum tube triode a “polymer space-charge-limited transistor” (SCLT). In operation, the holes are injected into organic semiconductor by the emitter, and are collected by the collector. The emitter-collector diode’s space-charge-limited current (SCLC) is modulated by a metal base electrode embedded within the semiconductor. The voltages applied to the collector and base, determine a potential barrier between the emitter and collector. The SCLT on and off states are determined by whether carriers encounter a high or low potential barrier.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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