一種利用半導體晶體之自然劈裂面選擇性成長氮化物半導體元件的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093114819

專利證號

I236054

專利獲證名稱

一種利用半導體晶體之自然劈裂面選擇性成長氮化物半導體元件的方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2005/07/11

技術說明

本發明係為一種利用半導體晶體之自然劈裂面選擇性成長氮化物半導體元件的方法，其係可 以解決在磊晶品質，改善元件的性能與可靠度。此製造方法是沿晶體自然劈裂面選擇性區域 成長氮化物半導體，因此能夠有效改善基板與晶體之間晶格常數不匹配和熱膨脹係數不同的 問題減少磊晶過程中產生過多的缺陷，同時可降低元件漏電流、操作電壓等等。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

網址