以液相沉積成長二氧化鉿薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093123465

專利證號

I 318245

專利獲證名稱

以液相沉積成長二氧化鉿薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2009/12/11

技術說明

金氧半場效電晶體是超大型積體電路中最重要的元件，隨著積體電路密度不斷的提升，電晶體元件尺寸必須跟著微 縮，而電晶體中閘極二氧化矽絕緣層厚度的薄化是一項關鍵的製程，然而，當二氧化矽絕緣層厚度薄化以維持足夠的 元件驅動電流時，其穿隧電流將大幅增加，導致閘極端的大量漏電流，使元件特性變差。因此，必須以高介電常數材 料取代傳統的二氧化矽絕緣膜，作為金氧半場效電晶體之閘極絕緣層，使得在維持足夠的元件驅動電流時，可以增加 厚度以降低閘極漏電流。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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