氮化銦鎵∕氮化鎵量子井倒角錐的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107146512

專利證號

I 682053

專利獲證名稱

氮化銦鎵∕氮化鎵量子井倒角錐的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2020/01/11

技術說明

一種氮化銦鎵∕氮化鎵量子井角錐的製造方法，包含： 於600～650℃之溫度下，在一基板上依序進行一第一磊晶反應及一第二磊晶反應，以形成一氮化鎵角錐，其中，該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為25：1～35：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為130：1～150：1；於該氮化鎵角錐遠離該基板的一端面上形成一氮化銦鎵層；及於該氮化銦鎵層上形成一氮化鎵層。 A method for manufacturing an indium gallium nitride/gallium nitride quantum-well pyramid is provided to improve upon the complexity of the conventional method for manufacturing light -emitting diode die. The method for manufacturing an indium gallium nitri de/gallium nitride quantum-well pyramid includes performing a first epitaxial reaction and then a second epitaxial reaction on a substrate under 600~650 ℃ to form a gallium nitride pyramid, growing an first indium gallium nitride layer on an end face of th e gallium nitride pyramid away from the substrate, and growing a first gallium nitride layer on the first indium gall ium nitride layer. A flux ratio of nitrogen to gallium of the first epitaxial reaction is 25:1~35:1, and a flux ratio of nitrogen to gallium of the second epitaxial reaction is 130:1~150:1.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址