電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092109805

專利證號

I222750

專利獲證名稱

電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2004/10/21

技術說明

本發明「電壓可調式多段轉換互導放大砷化銦鎵/砷化鎵高電子移 動率 電 晶體」係首次將砷化銦鎵/砷化鎵(InGaAs/GaAs)漸進式超晶格結 構應 用 於類晶系δ-摻雜高電子移動率電晶體之隔絕層設計，藉由漸進式 超晶 格 隔絕層結構，不僅能大幅改善異質接面晶格不匹配引起應力散射 而影 響 載子傳導之現象，以及增加閘極電壓擺幅(gate voltage swing) 範 圍， 更進而結合整合型通道結構實空間傳輸(real-space transfer)之 設 計， 首創提供電壓可調式多段轉換互導放大之元件工作特性。由於砷 化銦 鎵/ 砷化鎵材料系統具有高速傳導本質特性，δ-摻雜高電子移動率電 晶體 能 提供高電子移動率與濃度乘積值(mobility-concentration product)， 產生優越之驅動能力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址