模仁獨立溫控結構及其成型方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願2009-124192

專利證號

特許 4981100

專利獲證名稱

模仁獨立溫控結構及其成型方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2012/04/27

技術說明

技術特點： 本發明特點是以半導體摻雜技術和閘極電壓崩潰特性以及功率波形控制技術為基礎，製造發展出具有微米級矽基加熱線的模仁及其獨立的溫控技術。 解決問題： 本發明藉上述製程方法以植佈技術在模仁壁面創製極細的可發熱線路，於成形過程中可使模仁獨立適當地升溫，可以有效控制成形過程中模穴內的材料的溫度分布變化，達到增進材料在模穴內的流動充填，以及降低因材料的流動或冷卻收縮所引起的應力之目的，對於提升微、奈米結構成形的轉印性，以及解決微/奈米成形的材料收縮所造成的應力與夾模破壞的問題有非常顯著的成效，可促進微結構成形的高深寬比化、大面積化，並大幅降低成形所需能量與縮短成形週期。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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