鑽石成長方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100117085

專利證號

I 447253

專利獲證名稱

鑽石成長方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/08/01

技術說明

本發明係有關於一種多晶鑽石膜之製備方法，除了電漿所提供之熱外，本發明可無須再提供其他熱源，俾可於低溫製程條件下成長大晶粒尺寸且高表面平整度之多晶鑽石膜，相較於習知富含氫氣條件下所製得之多晶鑽石膜，本發明製法所成長之多晶鑽石膜具有高表面平整度，故無須再進行後續拋光製程，有利於實際應用，此外，本發明可於不摻氫之條件下製備多晶鑽石膜，故本發明更具有製程較為安全之優點；另一方面，相較於習知超奈米晶鑽石膜之製法，本發明製法可於成長鑽石之局部區域產生適量的原子氫，降低二次成核現象，有利於成長具有較大晶粒尺寸之多晶鑽石膜，進而大幅減少晶粒界面，展現較佳之熱導性。此外，本發明更可藉由控制混合氣體之流量，避免反應室中過多的含碳氣體形成碳粒，以提高多晶鑽石膜之純度與品質。 The present invention relates to a method for manufacturing a polycrystalline diamond film, including: providing a gas mixture, which includes a noble gas and a carbon-containing gas, in a reaction chamber; and forming a plasma in the reaction chamber to react the carbon-containing gas into a polycrystalline diamond film on a substrate with a plurality of nuclei on a surface thereof. The plasma does not contact with the substrate. Accordingly, the present invention can grow a polycrystalline film with larger grain sizes than 20 nm and high surface smoothness.

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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