具共振帶間穿隧二極體及金屬氧化物半導體元件之邏輯電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095129596

專利證號

I308377

專利獲證名稱

具共振帶間穿隧二極體及金屬氧化物半導體元件之邏輯電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/04/01

技術說明

除了在NDL國家奈米實驗室進行實做外，我們也利用學界、商業界廣泛使用之ISE製程模擬軟體 加以驗證。我們同時以現有SOI技術製作，SOI製程的成熟，證明此元件的可行性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址