高介電流常數與低漏電流磷化銦金氧半電容的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/270929

專利證號

US7,341,960 B2

專利獲證名稱

高介電流常數與低漏電流磷化銦金氧半電容的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/03/11

技術說明

一種高介電流常數與低漏電流磷化銦金氧半電容的製作方法

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址