低電壓全差動式互補式金氧半交變電容放大器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095130967

專利證號

I 320628

專利獲證名稱

低電壓全差動式互補式金氧半交變電容放大器

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2010/02/11

技術說明

本發明提出一種低電壓全差動式CMOS交變電容放大器，其中包括一全差動式運算放大器、複數個靴帶式開關、複數個NMOS開關、以及複數個電容。在本發明另一實施方式中，低電壓全差動式CMOS交變電容放大器更包括一第一與一第二電壓位移器，分別耦接在該全差動式運算放大器的負輸入端與正輸入端。此種CMOS交變電容放大器可以在低電源電壓環境中操作，並且可以實現軌對軌擺幅。此種CMOS交變電容放大器具有良好的線性度，並且可以有效改善共模效應與雜訊。 A low-voltage fully differential CMOS switched-capacitor amplifier comprises a fully-differential operational amplifier, a plurality of bootstrapped switches, a plurality of NMOS switches, and a plurality of capacitors. In another embodiment, a low-voltage fully differential CMOS switched-capacitor amplifier further comprises a first and a second voltage level shifters coupling to a negative and a positive input terminals of the fully-differential operational amplifier, respectively. The CMOS switched-capacitor amplifiers can be operated by low power supply voltage, and can realize rail-to-rail swing. The CMOS switched-capacitor amplifiers have good linearity and can reduce the common-mode interference and noise.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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