氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL GAN EPITAXIAL STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/568,291

專利證號

US 8,728,235 B2

專利獲證名稱

氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL GAN EPITAXIAL STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/05/20

技術說明

以分子束磊晶系統(MBE system)在鋰酸鋁（LiAlO2）基板自我成長的氮化鎵（GaN）c軸六角形金字塔、及盤子結構，可以進一步發展成為具量子效應之氮化鎵六角形金字塔、盤子以及沙漏結構。在本專利中所建立的結構模型可以知道，量子六角形金字塔在（1×1）表面的自我成長過程中缺失了最外層的氮原子，而量子盤則是由於最外層鎵化學鍵捕抓到氮原子所形成；因此，本專利結合兩種不同成長模型的量子金字塔與量子盤來獲得量子沙漏元件結構，並在上下兩側盤狀結構各別參以不同雜質使其成為p-n 介面。如此自由電子將被侷限在沙漏通道中，由於量子侷限效應會導致不連續量子能態結構。在藉由不同工作電壓下使量子沙漏元件的量子效應特性更加明顯。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址