奈米熱電裝置的製造方法METHOD FOR FABRICATING NANOSCALE THERMOELECTRIC DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/117,835

專利證號

US 7,960,258 B2

專利獲證名稱

奈米熱電裝置的製造方法METHOD FOR FABRICATING NANOSCALE THERMOELECTRIC DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/06/14

技術說明

本發明係揭露一種奈米熱電裝置的製造方法，提供至少一模板，而該模板具有一組奈米孔洞，在模板底部形成一基板之後，將一二元以上半導體之熔融金屬液注入該組奈米孔洞中，以形成一組半導體奈米線，再來去除該基板，以得到一半導體奈米線陣列，所製備的p型及n型之熱電奈米線陣列，利用一金屬導體以串聯方式連結至少二半導體奈米線陣列，可取代傳統的熱電半導體塊材進行元件組裝形成熱電元件，此熱電元件係具有較高的熱電轉換效率。

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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