半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097138817

專利證號

I 404129

專利獲證名稱

半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

一種半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法，以射頻磁控濺鍍法在矽基板上製備含硼類鑽碳（B-DLC） 薄膜，其使用硼錠片嵌入石墨靶中作為複合靶材，硼錠片即為摻雜源，並在形成含硼類鑽碳薄膜後，將薄膜退火於溫度500oC且持溫10分鐘，而後進行霍爾效應以及四點探針分析，分別分析其載子濃度與電阻率，證實含硼類鑽碳薄膜之極性為p型半導體特性，且載子濃度可達1.3×1018 cm-3，以及電阻率約為0.6 Ω-cm；因此，本發明具有優異半導體特性與高溫穩定性之含硼半導體類鑽碳薄膜，將可有很好的應用與發展在太陽能電池或電子傳輸及電極元件與設備上。 A semiconductor properties of diamond-like carbon film manufacturing method. Therefore, the present invention has excellent resistance and high temperature semiconductor holders sability of the boron-containing diamond-like semiconductor film, will have a good application and development ing solar cells or electronic transmission and electrode components and equipment.

備註

本部(收文號1080026226)同意該校108年4月26日北科大產學字第1087900115號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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