一種雙重矽、鍺化物結構的製作方法A Method For Making Dual Silicide and Germanide Semiconductors

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100102815

專利證號

I 475602

專利獲證名稱

一種雙重矽、鍺化物結構的製作方法A Method For Making Dual Silicide and Germanide Semiconductors

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/03/01

技術說明

本發明係一種雙重矽、鍺化物結構的製作方法，包括提供一半導體基底；形成一絕緣層於該半導體基底上；形成一閘極結構於該絕緣層上；形成一淺摻雜源/汲極區域於該半導體基底內；形成一間隔層於該閘極結構側邊；形成一濃摻雜源/汲極區域於該半導體基底內；形成一第一矽或鍺化物於該源/汲極區域沒有被該間隔層覆蓋之表面；減縮該間隔層體積，使該源/汲極區域暴露出尚未被該第一矽化物覆蓋的表面；以及形成一第二矽或鍺化物於該源/汲極區域，藉以有效的降低半導體元件源/汲極區域之寄生電阻值。 A method for making a dual silicide or germanide semiconductor comprises steps of providing a semiconductor substrate, forming a gate, forming source/drain regions, forming a first silicide, reducing spacers thickness and forming a second silicide. Forming a gate comprises forming an insulating layer over the semiconductor substrate, and forming the gate over the insulating layer. Forming source/drain regions comprises forming lightly doped source/drain regions in the semiconductor substrate adjacent to the insulating layer, forming spacers adjacent to the gate and over part of the lightly doped source/drain regions, and forming heavily doped source/drain regions in the semiconductor substrate. The first silicide is formed on an exposed surface of lightly and heavily doped source/drain regions . The second silicide is formed on an exposed surface of lightly doped source/drain regions. A first germanide and second germanide may replace the first silicide and the second silicide.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

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