NON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY 4T2R CELL WITH RC-DELAY SEARCHNON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY 4T2R CELL WITH RC-DELAY SEARCH

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/159,005

專利證號

US 9,230,649 B2

專利獲證名稱

NON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY 4T2R CELL WITH RC-DELAY SEARCHNON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY 4T2R CELL WITH RC-DELAY SEARCH

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/01/05

技術說明

電阻式記憶體為相當具有潛力的非揮發記憶元件，特色為高密度、高低阻態比值大、可快速隨機存取且不會有長時間儲存後阻值漂移的問題，然而若為了較快讀取速度或較大感測邊界而施加較大讀取電壓，使電阻式記憶體長時間兩端跨壓大，則可能造成阻值漂移，嚴重時會造成讀取錯誤．稱之為讀取干擾；因此做高速電路設計須考慮讀取干擾造成的資料可靠度問題．此技術提出一電阻電容過濾式降壓4T2R非揮發性三元內容循址記憶體，達到： 1. 降低配對限於配對情況的漏電電流． 2. 降低配對線負載 3. 創新的電阻電容延遲搜尋方式，可使搜尋時電阻式記憶體的讀取壓力(流經電阻式記憶體的電流對時間積分)比起目前國際論文已發表之架構小約6倍，緩和讀取壓力與搜尋速度之間的取捨。 4. 提升4倍的品質因素：速度乘以可支援最常配對線長度乘以容量． This patent proposes an RC-filtered stress-decoupled (RCSD) 4T2R nonvolatile TCAM (nvTCAM) to 1) suppress match-line (ML) leakage current from match cells (IML-M), 2) reduce ML parasitic load (CML), 3) decouple NVM-stress from wordlength (WDL) and IML-MIS. RCSD reduces NVM-stress

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址