具強化浮體效應的U型槽1T記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095128495

專利證號

I 304249

專利獲證名稱

具強化浮體效應的U型槽1T記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/12/11

技術說明

本元件利用類似PDSOI明顯的浮體效應 (floating body effect)來製成一記憶體單元，特別在 底部浮體現象明顯處使用一U型槽將其浮體現象強化。且在此專利中，將在此U型槽下方加上一 閘控端，使浮體現象的操控更加容易，故為可靠的非揮發性記憶體（Non-volatile memory）。

備註

經本校科技權益委員會審議決議，推薦申請『中華民國』專利 依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址