光偵測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098135421

專利證號

I 528576

專利獲證名稱

光偵測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/04/01

技術說明

本發明專利基於光偵測器的應用，利用雙層介電質的導體-絕緣體-導體結構，在單一光偵測器元件同時偵測照光波長與照光強度。本專利光偵測器結構示意圖如圖一所示，利用高低介電常數之雙層介電質薄膜在兩導體間形成光偵測器。偵測原理及方式如圖二所示，入射光穿過透明之上電極(薄金屬、ITO、或半導體)以及雙層介電質(例如Al2O3及SiO2)後，在下電極(例如金屬或半導體)產生光電子，波長較大的入射光所產生的光電子能量較小，因此無法克服絕緣層能障到達上電極。此時若增加上電極的電壓，介電係數較小的下介電質薄膜產生較大的電場，會將下介電質的絕緣層能障降低，此時光電子可以克服絕緣層能障，到達上電極而形成光電流，此光偵測器可利用電壓調整導體與介電質之間的能量障礙高低，控制不同照光波長(或頻率)之穿遂電流大小。藉由照光穿遂電流起始電壓以及電流大小，可在單一元件同時偵測照光波長與照光強度。

備註

本部(收文號：第1080067117號)同意該校108年10月8日中產營字第1081401079號函通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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