電晶體之製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103122630

專利證號

I 538061

專利獲證名稱

電晶體之製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/06/11

技術說明

以濕式塗佈製程塗佈薄膜為一高效率、低成本之技術，近年來被廣泛運用於有機半導體元件製程。目前薄膜塗佈的技術中最廣為人知的技術為旋轉塗佈法(Spin coating)和浸沾式塗佈(Dip coating)。旋轉塗佈法侷限於塗佈平整表面，當塗佈於不規則表面(例如:柱狀結構)時，會有填滿孔洞或薄膜浮在表面的情況發生；而浸沾式塗佈法雖可在不規則表面形成共形覆蓋的結構，但其成膜厚度有限，而本實驗室所研發出的接觸式塗佈可藉由液體濃度和抬升速度的控制形成不同的包覆結構，以本實驗室所製備的奈米柱狀結構為例，除了可形成膜厚較厚的共形覆蓋結構外，還可藉由提高液體濃稠度及降低抬升速度得到柱狀結構上方包覆且保留通道之結構。另外，也可藉由調變基板抬升速度增加附著在基板表面的液體量達到填洞之效果。目前該技術也已應用於本實驗室所開發之垂直式有機電晶體、氣體感測元件及IGZO電晶體製程中。 Wet-coating process is a high efficiency and low cost technique. It has been widely employed in organic semiconductor device fabrication. The most popular processes are spin coating and dip coating. However, spin coating is limited by the roughness on the substrate surface. When the surface is irregular (column structure), the materials might fill the holes or suspend on the top. Although dip coating can cover the structure uniformly, which fixed previous problems, the film thickness is still limited. In our laboratory, we developed “contact coating” which can bring out different common coverage structures by controlling the solution concentration and lifting speed. Contact coating can provides a thicker common coverage film structure. Furthermore, by enhancing the solution concentration or lowering the lifting speed, we can obtain the coverage on the top on the column structure and keep the channel between columns as well.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址