可撓曲非揮發性記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101132514

專利證號

I 500116

專利獲證名稱

可撓曲非揮發性記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/09/11

技術說明

近年來，電阻式記憶體的發展被視為下世代高密度低功耗非揮發性記憶體的候選人之一，而由金屬氧化物所組成之電阻切換層更是最為廣泛的應用與研究，由二元金屬氧化物或鈣鈦礦為例，其電阻切換特性是由形成與切斷導電路徑來達成，而此導電路徑被認為是由偏壓導致之金屬氧化物內的缺陷產生，此缺陷的組成可能為金屬離子或是氧空缺。 故在發展軟性電子裝置之記憶體元件受到製作過程中溫度的限制以及元件在受到軟性基板的撓曲作用下應力的影響，非晶態氧化銦鎵鋅(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide, a-IGZO)薄膜被視為最有應用潛力於透明軟性電子領域由於其新穎的透明特性、優越的低溫下沉積條件與非晶態大面積均勻之特性，並且，由2004年hosono教授提出其新穎式離子鍵結之電子傳輸特性，可使其導電性不受非晶態鍵結之影響，同時也製作在可撓曲之軟性基板，宣稱了十分適合應用於軟性電子元件，然而，In與Ga為地球上生產供應鏈上較具競爭的物質材料，絕大部分的In用在面板相關產業如銦錫氧化物ITO製造出透明電極材料，而Ga會用在三五族半導體如LED光電產業以及射頻電路產業，如不找出替代的材料，In與Ga將會造成供應之危機與缺乏，故本專利發明提出在軟性電子中找尋一材料擁有無In與Ga之透明非晶態金屬氧化物作為電阻式記憶體之電阻切換層。 An aspect of the present invention is to provide a manufacturing method for manufacturing a flexible non-volatile memory. The manufacturing method comprises the steps outlined below. A flexible substrate is provided. A planarization layer is formed on the flexible substrate. A metal bottom electrode layer is deposited on the planarization layer. A mask is formed to define a plurality of patterns. An AZTO (aluminum zinc tin oxide) resistive switching layer having a plurality of electrically independent AZTO resistive switching cells corresponding to the patterns is deposited on the metal bottom electrode layer. The mask is removed and a top electrode layer is deposited on the AZTO resistive switching layer corresponding to the AZTO resistive switching cells to form a plurality of non-volatile memory cells.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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