薄膜電晶體製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103140499

專利證號

I 560782

專利獲證名稱

薄膜電晶體製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/12/01

技術說明

本發明揭示一種薄膜電晶體製作方法，用於解決低溫製程導致電晶體薄膜缺陷過多的問題，該薄膜電晶體製作方法的步驟包含於一基板上形成一電晶體雛型，該電晶體雛型之表面具有至少一待處理部；及將該電晶體雛型的待處理部裸露於充滿超臨界流體的環境中，使超臨界流體對該電晶體雛型的待處理部進行表面處理，用以製成一薄膜電晶體。藉此，超臨界流體可鈍化缺陷，可確實減少薄膜之中缺陷數量，進而提升開啟電流(on-current)、改善次臨界擺幅(sub-threshold slope)。 This invention discloses a thin film transistor fabrication method to solve the problem of too much defect of transistors manufactured by low temperature. The method comprises steps of forming a transistor prototype on a substrate, a surface of the transistor prototype having at least one to-be-treated portion; and exposing the to-be-treated portion of the transistor prototype in an environment full of the supercritical fluid, to implement a surface treatment process of the to-be-treated portion of the transistor prototype by the supercritical fluid for the purpose of a thin film transistor fabrication. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址