高分子發光元件之電洞傳遞材料及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101114544

專利證號

I 469955

專利獲證名稱

高分子發光元件之電洞傳遞材料及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/01/21

技術說明

本技術乃以有機合成為基礎，利用具有光化學活性的三苯胺衍生物作為交聯劑、聚乙烯咔唑作為電洞傳輸材料以及DIAS作為光酸催化劑，將其混和均勻後塗布在ITO基材上，經由紫外線曝光顯影後，交聯的高分子即可固化成膜於基材上，並且可用來製作具有特定放光區域的高分子發光二極體元件。另一方面，進一步地研究在光交聯過程中涉及到的三個反應並行機制，包括光致咔唑偶合的機制，Crivello機制及光酸催化的Friedel-Crafts型機制，以建構高亮度低驅動電壓之發光元件，可提高其穩定性與生產方便性。 This technique based on organic synthesis, a photo-crosslinkable fluorene、carbazole、thiophene and triphenylamine to fabricate a low turn-on voltage, high brightness device to enhance stability and production convenience.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址