非結晶相之釔摻雜氧化銦鋅的薄膜電晶體及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101915

專利證號

I 467773

專利獲證名稱

非結晶相之釔摻雜氧化銦鋅的薄膜電晶體及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2015/01/01

技術說明

IZO氧化物薄膜應用於薄膜電晶體 (thin-film transistor) 是未來研究發展趨 勢，常看見使用 CVD、MBE、ALD等方法來製備薄膜，但以上方法必須於真空環境 下製備，其高成本和製程步驟較繁雜。故本發明使用溶液凝膠法 (sol-gel) 來 製作氧化物薄膜電晶體，其優點為可大面積製作、低成本、非真空環境、且可使 用於 roll-to-roll 製程。 此外有發現在 IZO 添加 Mg or Sc 的元素來製備薄電晶體的文獻，但沒有發現 摻 Y 元素於IZO薄膜電晶體的文獻與專利，使用 Y 摻雜的優點是 Y較其他元素 便宜，故可達到降低成本的優勢。 IZO Oxide film used in thin-film transistor is the trend to the future. But like CVD、MBE、ALD methods need in vacuum environment, all of above methods are expensive and the processes are complex. The invention used in sol-gel method to fabricate considering that the large-area, low-cost, non-vacuum environment, and roll-toroll process. We found that the literatures of Mg or Sc doped IZO thin film transistors, but no patents or literatures talked about Y doped IZO thin film transistors. The advantages of using Y is that it is more cheaper than other elements, so it can be to reduce the cost.

備註

本部(收文號1090062446)同意該校109年10月13日中正研發字第1090008272號函申請終止維護專利(中正大學)

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