氧化銦錫薄膜及其製造方法TIN-DOPED INDIUM OXIDE THIN FILMS AND METHOD FOR MAKING SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/778,183

專利證號

US 8,192,652 B2

專利獲證名稱

氧化銦錫薄膜及其製造方法TIN-DOPED INDIUM OXIDE THIN FILMS AND METHOD FOR MAKING SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2012/06/05

技術說明

本發明利用特定含量之釔離子及銪離子共摻雜氧化銦錫，製作出一種具有放射可見光螢光功能的透明導電之氧化銦錫薄膜；並提供製作該氧化銦錫薄膜之製造方法；前述氧化銦錫薄膜發光特性良好且具有高導電度，在可見光部分也可達到近90%之高穿透率，而此具有放射可見光螢光功能的透明導電薄膜可用於可用於提高太陽能電池效率且應用於薄膜電致發光元件。藉由元素摻雜量的控制，可得會吸收紫外光並放射可見光波長，具備下轉換功能之透明導電薄膜。 The invention of Eu3+-Y3+codoped tin-doped indium oxide (ITO) thin film were fabricated by sol-gel method. The resulting Eu3+-Y3+codoped ITO thin film exhibit stronger red 611 nm emission (5D0®7F2 transition) by adding more Y3+ ions, and provide the preparation of ITO thin films. Characterization of Eu3+-Y3+ codoped ITO thin films have strong photoluminescence and high mobility for the efficiency enhancement of solar cell. And the invention also use in thin-film electroluminescent devices can promote performance.

備註

本部(收文號1080072271)同意該校108年11月1日中正研發字第1080010129號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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