可降低電阻值之半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106200415

專利證號

M 539700

專利獲證名稱

可降低電阻值之半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2017/04/11

技術說明

本專利之實施係以鎳基合金和矽或矽鍺基材之間的反應所生成之金屬矽化物或金屬矽鍺化物做為矽或矽鍺之金屬接觸層。其合金成份對國內產業接受度高，且其未反應完全移除所需的蝕刻溶液和鎳相似，價格亦遠低於鎳鉑合金，電阻率較現今國內作為電晶體之源極及汲極之矽化鎳NiSi低且具高溫穩定，並能避免在矽鍺基材上之矽化反應過程中所造成鍺的偏析，極具商業化開發價值。 摘要如下: 一種半導體元件，其包含有一半導體基底、一閘極體以及一金屬矽化物層，其中基底設有一閘極區及一對對稱設於鄰近閘極區之源極/汲極區，閘極體具有一閘電極層及一堆疊於基底之閘極區閘的絕緣層，金屬矽化物層形成於各源極/汲極區。藉此，本發明所提供之金屬矽化物層不僅能有效降低半導體元件的電阻率，更能提升高溫之穩定性，同時兼具低成本之功效。 This patent disclosed the silicide or sili-germanide as the contact layer for Si or SiGe by the formation of nickle-based alloy with Si or SiGe . Compared with conventional NiSi, the nickle-based alloy silicide and sili-germanide are with better thermal stability, lower resistivity, and without the Ge segregation. Compared with NiPt-silicide, the non-reacted alloy can be removed with similar solution for Ni removal, without the issue of residual metal and cost.

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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