形成太陽能電池之光電反應層的方法Method For Forming A Photo-Active Layer Of The Solar Cell

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/456,762

專利證號

US 9,287,422 B2

專利獲證名稱

形成太陽能電池之光電反應層的方法Method For Forming A Photo-Active Layer Of The Solar Cell

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2016/03/15

技術說明

本發明揭示了一種具有多層結構之太陽能電池，多層結構係用以產生與傳送電荷。上述之多層結構包含一陰極、一導電金屬層、一光作用層（photo-active layer）、一電洞傳導層與一陽極。上述之光作用層包含一樹狀奈米結構陣列（tree-like nanostructure array）與一共軛高分子填料，其中，樹狀奈米結構陣列係作為電子受體（electron acceptor），而共軛高分子填料則作為電子予體（electron donor），樹狀奈米結構包含一樹幹部與一樹枝部，樹幹部係原位形成於導電金屬層表面，樹幹部係用以提供長直的傳輸路徑以傳輸電子，樹枝部與共軛高分子填料的大接觸面積提供電子-電洞分離。

備註

本部(收文號1100057959)同意該校110年9月16日校研發字第1100067275號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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