低溫下應用超臨界流體修補矽薄膜的方法及以此方法製備薄膜電晶體的製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095131977

專利證號

I308391

專利獲證名稱

低溫下應用超臨界流體修補矽薄膜的方法及以此方法製備薄膜電晶體的製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/04/01

技術說明

低溫下應用超臨界流體修補矽薄膜的方法及以此方法製備薄膜電晶體的製程

備註

本部(第1080005689號)同意該校108年01月21日中產營字第1081400090號函申請終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址